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1. 【觀念】練習平衡化學反應式
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2. 平衡式
2米6.3mm公頭轉6.3mm公頭雙聲道/ 平衡式音訊連接線(BAU02026MM黑) ◇ 兩端接頭均為trs公頭或是6.3mm公頭◇ 接頭材質為鍍金插頭◇ 線芯為高品質ofc無氧 ...PChome線上購物PChome線上購物商品搜尋結果買不到通知我！您是不是要查：依館別顯示↓搜尋：全部24h購物24h書店廠商出貨PChome旅遊排序：有貨優先精準度價錢由高至低價錢由低至高新上市篩選：超商取貨i郵箱取貨價格範圍：～本類別搜尋不到您要的商品！找不到與有關的產品讀取中由於搜尋結果筆數較多，建議您調整排序方式或篩選商品分類回頂部設定↑回TOP購物車購物車折價券折價券瀏覽紀錄瀏覽紀錄瀏覽紀錄more追蹤清單追蹤清單回TOP回TOP加入購物車中…結帳>為提升交易安全，建議您使用下列瀏覽器，即可順利購買。
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3. 平衡反應式
同稱：「平衡反應式」、「平衡式」。
寫出反應物與產物的化學式，標明狀態，加上反應條件，並加上適當係數，使左右兩側的各原子數相等。
原則：原子不滅， ...高中化學-平衡反應式同稱：「平衡反應式」、「平衡式」。
寫出反應物與產物的化學式，標明狀態，加上反應條件，並加上適當係數，使左右兩側的各原子數相等。
原則：原子不滅，電荷不滅。
熱化學反應式需標示反應熱。
延伸閱讀三元鹼pH值pOH值共振參鍵醣雙醣多醣果糖飽和脂肪酸皂化水煤氣硬水汙水處理空氣汙染綠色化學原子經濟精密陶瓷奈米材料鹼性同系物定比定律倍比定律氣體化合體積定律平均原子量亞佛加厥數重量百分濃度百萬分點濃度排水集氣法向上排氣法
寫出反應物與產物的化學式，標明狀態，加上反應條件，並加上適當係數，使左右兩側的各原子數相等。
原則：原子不滅， ...高中化學-平衡反應式同稱：「平衡反應式」、「平衡式」。
寫出反應物與產物的化學式，標明狀態，加上反應條件，並加上適當係數，使左右兩側的各原子數相等。
原則：原子不滅，電荷不滅。
熱化學反應式需標示反應熱。
延伸閱讀三元鹼pH值pOH值共振參鍵醣雙醣多醣果糖飽和脂肪酸皂化水煤氣硬水汙水處理空氣汙染綠色化學原子經濟精密陶瓷奈米材料鹼性同系物定比定律倍比定律氣體化合體積定律平均原子量亞佛加厥數重量百分濃度百萬分點濃度排水集氣法向上排氣法
4. 配置平衡式儲存體系統
如果所有主機系統試圖同時存取儲存體，此單一陣列就會超載。
如果要配置不會超載的平衡式儲存體系統，請遵循下列步驟：. 程序.配置平衡式儲存體系統將外部儲存體系統連接至系統之前，需要套用特定的設定來設定平衡系統的性質。
關於這項作業如果要將外部儲存體系統連接至系統，請考量下列兩個主要步驟：設定系統至儲存體連線的性質。
將邏輯單元對映至這些可讓系統存取邏輯單元的儲存體連線。
您可以使用系統的虛擬化特性，以選擇如何劃分儲存體及提供給主機。
雖然虛擬化很有彈性，卻也可能形成超載的儲存體系統。
如果主機系統發出的I/O交易數量超出儲存體處理這些交易的能力，儲存體系統就超載。
如果儲存體系統超載，則會導致主機系統延遲，還可能造成主機中的I/O交易逾時。
如果I/O交易逾時，主機會記錄錯誤，也無法對應用程式執行I/O。
實務範例：您有超載的儲存體系統。
在此實務中，您使用系統來虛擬化單一陣列，並將儲存體劃分給64個主機系統。
如果所有主機系統試圖同時存取儲存體，此單一陣列就會超載。
如果要配置不會超載的平衡式儲存體系統，請遵循下列步驟：程序請根據表1來計算儲存體系統中每個RAID的I/O速率。
註：每秒鐘可處理的實際I/O作業數取決於每個I/O的位置和長度。
也取決於I/O是讀作業還是寫入作業，以及陣列的組成磁碟規格。
例如，具有八個組成磁碟的RAID-5陣列有大約為150×7=1050的I/O速率。
表1.計算I/O速率陣列類型陣列中的組成磁碟數每秒大約I/O速率RAID-1（鏡映）陣列2300RAID-3、RAID-4和RAID-5（分段+同位檢查）陣列N+1同位檢查150×NRAID-10、RAID0+1和RAID1+0（分段+鏡映）陣列N150×N計算受管磁碟(MDisk)的I/O速率。
如果後端陣列和MDisk之間存在一對一關係，則MDisk的I/O速率與相對應陣列的I/O速率相同。
如果陣列劃分為多個MDisk，則每個MDisk的I/O速率等於陣列的I/O速率除以使用該陣列的MDisk數目。
計算儲存區的I/O速率。
儲存區的I/O速率等於儲存區中MDisk的I/O速率總和。
例如，儲存區包含八個MDisk，每個MDisk對應於一個RAID-1陣列。
根據表1，每個MDisk的I/O速率計算為300。
儲存區的I/O速率為300×8=2400。
根據表2來計算FlashCopy®對映的影響。
如果您是使用系統提供的FlashCopy功能，則必須考量FlashCopy作業產生的額外I/O數量。
此I/O數量可能會導致主機系統中I/O的處理速率變慢。
當FlashCopy對映將主機系統中尚未複製的寫入I/O複製到來源或目標磁區中的區域時，在寫入I/O完成之前，系統會產生額外I/O來複製資料。
使用FlashCopy功能的結果取決於應用程式所產生的I/O工作量類型。
表2.計算FlashCopy對映的影響應用程式類型對I/O速率的影響FlashCopy的額外加權應用程式未執行I/O無顯著影響0應用程式只讀取資料。
無顯著影響0應用程式只發出隨機寫入作業。
多達50倍的I/O49應用程式發出隨機讀取作業和寫入作業。
多達15倍的I/O14應用程式發出循序讀取作業或寫入作業。
多達2倍的I/O1對於作用中FlashCopy對映的每一個來源或目標磁區，請考慮會使用磁區的應用程式類型。
同時記錄磁區的額外加權。
例如，FlashCopy對映用於提供復原點備份。
在FlashCopy過程中，主機應用程式會對來源磁區產生隨機讀取和寫入作業的I/O工作量。
第二個主機應用程式會讀取目標磁區，並將資料寫入磁帶以建立備份。
來源磁區的額外加權為14。
目標磁區的額外加權為0。
請完成下列步驟，以計算儲存區中磁區的I/O速率：計算儲存區中的磁區數目。
對於作用中FlashCopy對映的每一個來源或目標磁區，新增額外加權。
將儲存區的I/O速率除以此數字，以計算每個磁區的I/O速率。
範例1：儲存區的I/O速率為2400，且具有20個磁區。
Flash
如果要配置不會超載的平衡式儲存體系統，請遵循下列步驟：. 程序.配置平衡式儲存體系統將外部儲存體系統連接至系統之前，需要套用特定的設定來設定平衡系統的性質。
關於這項作業如果要將外部儲存體系統連接至系統，請考量下列兩個主要步驟：設定系統至儲存體連線的性質。
將邏輯單元對映至這些可讓系統存取邏輯單元的儲存體連線。
您可以使用系統的虛擬化特性，以選擇如何劃分儲存體及提供給主機。
雖然虛擬化很有彈性，卻也可能形成超載的儲存體系統。
如果主機系統發出的I/O交易數量超出儲存體處理這些交易的能力，儲存體系統就超載。
如果儲存體系統超載，則會導致主機系統延遲，還可能造成主機中的I/O交易逾時。
如果I/O交易逾時，主機會記錄錯誤，也無法對應用程式執行I/O。
實務範例：您有超載的儲存體系統。
在此實務中，您使用系統來虛擬化單一陣列，並將儲存體劃分給64個主機系統。
如果所有主機系統試圖同時存取儲存體，此單一陣列就會超載。
如果要配置不會超載的平衡式儲存體系統，請遵循下列步驟：程序請根據表1來計算儲存體系統中每個RAID的I/O速率。
註：每秒鐘可處理的實際I/O作業數取決於每個I/O的位置和長度。
也取決於I/O是讀作業還是寫入作業，以及陣列的組成磁碟規格。
例如，具有八個組成磁碟的RAID-5陣列有大約為150×7=1050的I/O速率。
表1.計算I/O速率陣列類型陣列中的組成磁碟數每秒大約I/O速率RAID-1（鏡映）陣列2300RAID-3、RAID-4和RAID-5（分段+同位檢查）陣列N+1同位檢查150×NRAID-10、RAID0+1和RAID1+0（分段+鏡映）陣列N150×N計算受管磁碟(MDisk)的I/O速率。
如果後端陣列和MDisk之間存在一對一關係，則MDisk的I/O速率與相對應陣列的I/O速率相同。
如果陣列劃分為多個MDisk，則每個MDisk的I/O速率等於陣列的I/O速率除以使用該陣列的MDisk數目。
計算儲存區的I/O速率。
儲存區的I/O速率等於儲存區中MDisk的I/O速率總和。
例如，儲存區包含八個MDisk，每個MDisk對應於一個RAID-1陣列。
根據表1，每個MDisk的I/O速率計算為300。
儲存區的I/O速率為300×8=2400。
根據表2來計算FlashCopy®對映的影響。
如果您是使用系統提供的FlashCopy功能，則必須考量FlashCopy作業產生的額外I/O數量。
此I/O數量可能會導致主機系統中I/O的處理速率變慢。
當FlashCopy對映將主機系統中尚未複製的寫入I/O複製到來源或目標磁區中的區域時，在寫入I/O完成之前，系統會產生額外I/O來複製資料。
使用FlashCopy功能的結果取決於應用程式所產生的I/O工作量類型。
表2.計算FlashCopy對映的影響應用程式類型對I/O速率的影響FlashCopy的額外加權應用程式未執行I/O無顯著影響0應用程式只讀取資料。
無顯著影響0應用程式只發出隨機寫入作業。
多達50倍的I/O49應用程式發出隨機讀取作業和寫入作業。
多達15倍的I/O14應用程式發出循序讀取作業或寫入作業。
多達2倍的I/O1對於作用中FlashCopy對映的每一個來源或目標磁區，請考慮會使用磁區的應用程式類型。
同時記錄磁區的額外加權。
例如，FlashCopy對映用於提供復原點備份。
在FlashCopy過程中，主機應用程式會對來源磁區產生隨機讀取和寫入作業的I/O工作量。
第二個主機應用程式會讀取目標磁區，並將資料寫入磁帶以建立備份。
來源磁區的額外加權為14。
目標磁區的額外加權為0。
請完成下列步驟，以計算儲存區中磁區的I/O速率：計算儲存區中的磁區數目。
對於作用中FlashCopy對映的每一個來源或目標磁區，新增額外加權。
將儲存區的I/O速率除以此數字，以計算每個磁區的I/O速率。
範例1：儲存區的I/O速率為2400，且具有20個磁區。
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5. 化學平衡
化學平衡（英語：Chemical equilibrium）是指在宏觀條件一定的可逆反應中，化學反應正逆反應速率相等，反應物和生成物各組分濃度不再改變的狀態。
化學平衡維基百科，自由的百科全書跳至導覽跳至搜尋此條目沒有列出任何參考或來源。
(2019年7月2日)維基百科所有的內容都應該可供查證。
請協助補充可靠來源以改善這篇條目。
無法查證的內容可能會因為異議提出而移除。
此條目介紹的是描述化學平衡。
關於其他領域的平衡，請見「平衡(消歧義)」。
化學平衡（英語：Chemicalequilibrium）是指在宏觀條件一定的可逆反應中，化學反應正逆反應速率相等，反應物和生成物各組分濃度不再改變的狀態。
可用ΔrGm=ΣνΑμΑ=0判斷，μA是反應中A物質的化學勢。
也就是說，化學反應達到平衡狀態，意味著生成物的吉布斯自由能G達到最小。
理論上來講，對於產物已知的化學反應，應用吉布斯最小自由能法，結合反應物和生成物的熱力學數據，就可以計算出平衡產物。
化學反應不一定都能達到平衡狀態，如純化學反應物之間生成純的產物就無法達到平衡，直到反應物耗完為止。
理論上講，任何化學反應都是可逆反應，只不過對於平衡常數非常大的化學反應，由於反應進行得很徹底，就認為該反應不可逆。
在不同的條件（濃度、溫度、壓強等）下，化學平衡能保持不同的平衡關係（濃度等）。
一個化學反應達到化學平衡後，如果條件（濃度、溫度、壓強等）發生變化，平衡將被打破，直至達成新的平衡。
根據勒沙特列原理，如一個已達平衡的系統被改變，該系統會隨之改善來抗衡該改變。
目錄1內容2化學平衡的特徵3化學平衡反應的種類以及示例4化學平衡的標誌4.1直接標誌4.2間接標誌5參見內容[編輯]化學平衡是化學熱力學的重要組成部分。
主要討論：化學反應的熱效應（熱化學）化學反應的方向化學反應的限度各種外界因素對化學平衡的影響平衡所需要之時間化學平衡的特徵[編輯]逆：化學平衡存在於可逆反應中。
等：正反應與逆反應速率相等。
動：化學平衡是一種動態平衡，也就是說，雖然宏觀下物質的量不再改變，但實際[微觀]上是物質不斷反應與生成。
定：宏觀下反應物與生成物的物質的量恆定不再改變。
變：條件改變，化學平衡就可能移動。
閉：一個化學平衡只存在於一個閉合系統，沒有物質的進入或離開。
化學平衡反應的種類以及示例[編輯]1.一般化學平衡（可逆反應）平衡示例：Cl2(g)+H2O(l)⇌HCl(aq)+HClO(aq){\displaystyle\mathrm{Cl_{2}}(g)+\mathrm{H_{2}O}(l)\rightleftharpoons\mathrm{HCl}(aq)+\mathrm{HClO}(aq)}2.溶解平衡平衡示例：CO2(g)⇌CO2(aq){\displaystyle\mathrm{CO_{2}}(g)\rightleftharpoons\mathrm{CO_{2}}(aq)}3.沉澱平衡平衡示例：Ag+(aq)+Cl−(aq)⇌AgCl(s){\displaystyle\mathrm{Ag^{+}}(aq)+\mathrm{Cl^{-}}(aq)\rightleftharpoons\mathrm{AgCl}(s)}4.電離平衡平衡示例：弱酸：3HF⇌H2F++HF2−{\displaystyle\mathrm{3HF\rightleftharpoonsH_{2}F^{+}+HF_{2}^{-}}}弱鹼：NH3+H2O⇌NH4++OH−{\displaystyle\mathrm{NH_{3}+H_{2}O\rightleftharpoonsNH_{4}^{+}+OH^{-}}}H2O:2H2O⇌H3O++OH−{\displaystyle\mathrm{H_{2}O:2H_{2}O\rightleftharpoonsH_{3}O^{+}+OH^{-}}}化學平衡的標誌[編輯]直接標誌[編輯]正逆反應速率相等反應物與生成物物質的量不再改變間接標誌[編輯]反應前後氣體體積不同的反應，氣體體積不發生改變。
如反應N2(g)+3H2(g)↔2NH3(g){\displaystyle\mathrm{N_{2}}(g)+\mathrm{3H_{2}}(g)\leftrightarrow\mathrm{2NH_{3}}(g)}，若其體積不發生改變，則說明已經達到平
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此條目介紹的是描述化學平衡。
關於其他領域的平衡，請見「平衡(消歧義)」。
化學平衡（英語：Chemicalequilibrium）是指在宏觀條件一定的可逆反應中，化學反應正逆反應速率相等，反應物和生成物各組分濃度不再改變的狀態。
可用ΔrGm=ΣνΑμΑ=0判斷，μA是反應中A物質的化學勢。
也就是說，化學反應達到平衡狀態，意味著生成物的吉布斯自由能G達到最小。
理論上來講，對於產物已知的化學反應，應用吉布斯最小自由能法，結合反應物和生成物的熱力學數據，就可以計算出平衡產物。
化學反應不一定都能達到平衡狀態，如純化學反應物之間生成純的產物就無法達到平衡，直到反應物耗完為止。
理論上講，任何化學反應都是可逆反應，只不過對於平衡常數非常大的化學反應，由於反應進行得很徹底，就認為該反應不可逆。
在不同的條件（濃度、溫度、壓強等）下，化學平衡能保持不同的平衡關係（濃度等）。
一個化學反應達到化學平衡後，如果條件（濃度、溫度、壓強等）發生變化，平衡將被打破，直至達成新的平衡。
根據勒沙特列原理，如一個已達平衡的系統被改變，該系統會隨之改善來抗衡該改變。
目錄1內容2化學平衡的特徵3化學平衡反應的種類以及示例4化學平衡的標誌4.1直接標誌4.2間接標誌5參見內容[編輯]化學平衡是化學熱力學的重要組成部分。
主要討論：化學反應的熱效應（熱化學）化學反應的方向化學反應的限度各種外界因素對化學平衡的影響平衡所需要之時間化學平衡的特徵[編輯]逆：化學平衡存在於可逆反應中。
等：正反應與逆反應速率相等。
動：化學平衡是一種動態平衡，也就是說，雖然宏觀下物質的量不再改變，但實際[微觀]上是物質不斷反應與生成。
定：宏觀下反應物與生成物的物質的量恆定不再改變。
變：條件改變，化學平衡就可能移動。
閉：一個化學平衡只存在於一個閉合系統，沒有物質的進入或離開。
化學平衡反應的種類以及示例[編輯]1.一般化學平衡（可逆反應）平衡示例：Cl2(g)+H2O(l)⇌HCl(aq)+HClO(aq){\displaystyle\mathrm{Cl_{2}}(g)+\mathrm{H_{2}O}(l)\rightleftharpoons\mathrm{HCl}(aq)+\mathrm{HClO}(aq)}2.溶解平衡平衡示例：CO2(g)⇌CO2(aq){\displaystyle\mathrm{CO_{2}}(g)\rightleftharpoons\mathrm{CO_{2}}(aq)}3.沉澱平衡平衡示例：Ag+(aq)+Cl−(aq)⇌AgCl(s){\displaystyle\mathrm{Ag^{+}}(aq)+\mathrm{Cl^{-}}(aq)\rightleftharpoons\mathrm{AgCl}(s)}4.電離平衡平衡示例：弱酸：3HF⇌H2F++HF2−{\displaystyle\mathrm{3HF\rightleftharpoonsH_{2}F^{+}+HF_{2}^{-}}}弱鹼：NH3+H2O⇌NH4++OH−{\displaystyle\mathrm{NH_{3}+H_{2}O\rightleftharpoonsNH_{4}^{+}+OH^{-}}}H2O:2H2O⇌H3O++OH−{\displaystyle\mathrm{H_{2}O:2H_{2}O\rightleftharpoonsH_{3}O^{+}+OH^{-}}}化學平衡的標誌[編輯]直接標誌[編輯]正逆反應速率相等反應物與生成物物質的量不再改變間接標誌[編輯]反應前後氣體體積不同的反應，氣體體積不發生改變。
如反應N2(g)+3H2(g)↔2NH3(g){\displaystyle\mathrm{N_{2}}(g)+\mathrm{3H_{2}}(g)\leftrightarrow\mathrm{2NH_{3}}(g)}，若其體積不發生改變，則說明已經達到平
6. RO-19｜可調型平衡式二級頭
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